Создан заказ №4320022
3 ноября 2019
Теплофизические ограничения на рост степени интеграции
Как заказчик описал требования к работе:
Прошу обратить внимание на оформление реферата (прикрепляю методичку по оформлению которую нужно взять за основу при оформлении).
В реферате должны быть разделы: введение и заключение (вывод).
Минимальным порогом оригинальности является 40% (выше 60% значительный «плюс»).
Количество страниц - не
более 15
подробнее
Фрагмент выполненной работы:
Введение
Современная микроэлектроника (МЭ) – это область электроники, объединяющая комплекс физических, радиотехнических и технологических проблем, направленных на создание сложных электронных схем для переработки и передачи информации. Основой современной МЭ являются твердотельные микросхемы, создаваемые на отдельном кристалле – чипе, как правило, кремниевом. Интегральная схема (ИС) может быть представлена как совокупность дискретных элементов, взаимодействующих между собой за счет созданных на чипе межсоединений. (работа была выполнена специалистами Автор 24) Каждый же функциональный элемент ИС обладает различающимися по своим характеристикам однородными областями. Минимально достижимые размеры именно этих областей и являются наиболее интересными с точки зрения физических ограничений.
Улучшение операционных характеристик ИС за счет миниатюризации элементов и увеличения плотности их упаковки в несколько раз более существенно, чем тот же эффект за счет усовершенствования схемотехники и увеличения размеров кристалла. Увеличение числа элементов на кристалле, при практически неизменной его стоимости, сопровождается падением стоимости отдельного элемента.
Проблема физических ограничений на минимальные размеры элементов и максимальную степень интеграции в микроэлектронике возникла одновременно с созданием ИС. В последнее время эти вопросы становятся особенно актуальными в связи с прогрессом в технологии МЭ, позволяющим создавать отдельные элементы размером 100 нм и менее. Таким образом, эти величины становятся сравнимыми с характерными длинами, определяющими работу элемента: ширина области пространственного заряда, длина пробега и т.п.
С другой стороны, появляется возможность использовать новые физические эффекты, проявляющиеся как результат размерного квантования носителей заряда в элементах ИС нанометровых размеров. Именно поэтому вопрос о физических ограничениях может рассматриваться только при обсуждении конкретных элементов ИС.
В данной работе будут рассмотрены вопросы, которые касаются изучения основных проблем в повышении стеени интеграции и, в частности, теплофиических ограничений.Посмотреть предложения по расчету стоимости
Заказчик
заплатил
заплатил
200 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик воспользовался гарантией для внесения правок на основе комментариев преподавателя
4 ноября 2019
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
Теплофизические ограничения на рост степени интеграции.docx
2020-04-19 10:32
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
4
Положительно
Отличный автор. Качество работы на высоте, работа выполнена в срок. С автором приятно вести диалог. Всегда быстро отвечает и всё по делу. Очень доволен работой автора и рекомендую его
Хочешь такую же работу?
300 ₽
