Создан заказ №3274331
30 октября 2018
«Изучение физических основ работы полупроводниковых приборов» по дисциплине «Физические основы электроники»
Как заказчик описал требования к работе:
Нужна курсовая работа по физике. Есть содержание, дам структуру. Послезавтра уже сдавать план и введение, остальные сроки обговорим в переписке.
Фрагмент выполненной работы:
ВВЕДЕНИЕ
Курсовая работа по дисциплине «Физические основы электроники» заключается изучении физических основ работы полупроводниковых приборов и состоит из трёх заданий:
Изучение свойств p-n перехода.
Изучение свойств диодов.
Изучение свойств биполярного транзистора, а именно проведение расчёта каскада усилителя напряжения низкой частоты с реостатно-ёмкостной связью
Целью курсовой работы является:
закрепление теоретических знаний, полученных при изучении дисциплины;
формирование углубленного понимания физических процессов в усилительных устройствах;
изучение методов расчета усилительных устройств и их основных параметров;
усвоение правил составления и оформления технической документации.
Задание 1
Начертите схему включения p-n перехода, соответствующую заданному состоянию; покажите токи, протекающие через p-n переход, их направление и соотношение; укажите порядок величины результирующего тока.
Таблица 1
Номер варианта Состояние p-n-перехода
19 Прямое включение
n-p - переходом называется двойной электрический слой положительных и отрицательных ионов на контакте акцепторного и донорного полупроводников.
Величина энергии тормозящего электрического поля n-p - перехода называется потенциальным барьером.
Разность потенциалов собственного электрического поля n-p - перехода называется контактной разностью.
n-p - переход, смещен в прямом направлении, если источник внешнего поля подключен плюсом к выводу р- полупроводника, а минусом к выводу n-полупроводника. (работа была выполнена специалистами author24.ru) При этом внешнее поле направлено навстречу собственному полю n-p --перехода. Суммарное поле уменьшается и снижается потенциальный барьер.
. Через n-p -переход протекают два тока: дрейфовый и диффузионный.
Диффузионный ток – ток основных носителей: электронов в доноре и дырок в акцепторе . Физически диффузионный ток представляет собой встречную диффузию электронов и дырок. За преимущественное направление выбирается направление движения дырок. Так как в диодных структурах донорная база слабо легирована (меньше примесей). Поставщиком основных носителей являются примеси.
Дрейфовый ток – ток неосновных носителей: дырок в доноре, электронов в акцепторе . Поставщиком неосновных носителей является монокристалл германия или кремния. Дрейфовый ток всегда направлен в сторону противоположную диффузионному току.
Рис. 1. Прямое включение n-p – перехода. Движение носителей заряда в случае прямого включения
Диффузионный ток увеличивается, дрейфовый ток через переход не меняется, поскольку он определяется только количеством неосновных носителей заряда в данном полупроводнике. Для данного полупроводника концентрация их при определенной температуре является постоянной. Результирующий прямой ток определяется разностью диффузионного и дрейфового тока :
(1)
С увеличением внешнего напряжения прямой ток увеличиваетсПосмотреть предложения по расчету стоимости
Заказчик
заплатил
заплатил
500 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик воспользовался гарантией, чтобы исполнитель повысил уникальность работы
2 ноября 2018
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
«Изучение физических основ работы полупроводниковых приборов» по дисциплине «Физические основы электроники» .docx
2018-11-05 14:11
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
5
Положительно
Спасибо большое за ваши труды, отличный работник) Все сделано качественно и в скор!
Хочешь такую же работу?
300 ₽
