Создан заказ №1323374
10 сентября 2016
Рентгеновская дифракция
Как заказчик описал требования к работе:
Использовать учебник Тагер "Физика полимеров"? Реферат должен включать введение. историю метода, применение
Фрагмент выполненной работы:
Введение
Кристаллы могут быть найдены в природе повсюду. Как правило, мы представляем их себе в виде минералов (драгоценных камней, графита и т.д.), однако примерами кристаллов являются снежинки, лёд и кусочки соли. С древних времен кристаллы интригуют людей своей красотой – симметричной формой и разнообразием цвета, им приписываются магические свойства.
Однако только в начале 20-го века были сделаны открытия, позволившие «увидеть» внутреннюю структуру кристаллов через дифракционную картину рентгеновских лучей.
В 2014 году международное научное сообщество отметило 100-летие кристаллографии [1].
Ещё в 1611 году немецкий математик и астроном Иоганн Кеплер, наблюдая симметричную форму снежинок, озадачился объяснением их внутренней структуры.
Лишь почти 200 лет спустя французский минералог Рене Джюст Гаюи вывел геометрический закон кристаллизации [2], из которого следовала периодичность кристаллической структуры. (работа была выполнена специалистами author24.ru) Закон Гаюи разрешал только 2-, 3-, 4- и 6-кратную симметрию вращения. На основе этих ограничений Мориц Франкенгейм (в 1826 году) и Иоганн Хессел (в 1830 году) пришли к выводу, что возможны 32 типа кристаллов.
Однако в 1850 году Август Бравэ на основе представлений Людвига Зеебера (в 1824 году) и Габриэля Делафосса (в 1840 году) о кристалле как массиве точек получил только 14 возможных типов решёток [3].
С активным развитием методов эпитаксиального роста особо актуально встал вопрос производства сверхрешеток (СР) с точно заданными структурными параметрами и пространственно-периодической структурой. Не менее важной является задача последующего анализа совершенства изготовленных полупроводниковых материалов, так как во всех реальных кристаллических структурах присутствуют те или иные типы структурного несовершенства, нарушающие идеальную периодичность и меняющие некоторые ее физические свойства. Такие нарушения структуры могут как улучшить физические свойства полупроводниковых приборов, так и сделать их абсолютно не пригодными для дальнейшего применения.
Дифракция на регулярной структуре формирует когерентную компоненту рентгеновского рассеяния, тогда как дифракция на деформациях и случайных нарушениях обуславливает выход диффузной компоненты. Анализ дифракционных данных диффузной и когерентной компонент и оценка их вклада в полную интенсивность рассеяния позволяют установить степень совершенства исследуемых объектов и определить некоторые его структурные особенности. Трехосевая рентгеновская дифрактометрия позволяет разделять когерентный и диффузный каналы рассеяния. Это делает трехосевую рентгеновскую дифрактометрию главным инструментом неразрушающего исследования различных кристаллических полупроводниковых материалов с различной степенью совершенства, в частности, при изучении структур с латеральной модуляцией компонентного состава [1].
Экспериментальные данные, получаемые с помощью трехосевой рентгеновской дифракции, представляют собой сложные двухмерные карты распределения интенсивности рассеяния вблизи узла обратной решетки. Чтобы получить максимум полезной информации о структуре исследуемого образца, необходимо проводить численное моделирование распределения интенсивности рассеяния для различных моделей структуры и сравнивать результаты с данными экспериментальных измерений, в связи с чем возникает задача разработки теоретических подходов к описанию процесса дифракции для различных схем регистрации и моделей кристаллических структур. Сравнивая экспериментальные данные рентгеновской дифракции и результаты численного моделирования, можно выбрать наиболее подходящую модель структуры и определить ее основные параметры. На сегодняшний день самым эффективным средством решения данной проблемы является статистическая теория дифракции РЛ, в рамках которой авторы [2] получили выражения для амплитуды рассеяния рентгеновской волны на произвольных кристаллических объектах. Эти выражения позволяют с высокой точностью учитывать различные особенности кристаллических объектов и выполнять численное моделирование карт распределения интенсивности рассеяния в обратном применительно к трехосевой схеме рентгеновской дифракции.
Предмет рентгенографии - решение основной задачи структурного анализа при помощи рассеяния (дифракции) рентгеновского излучения. Основная задача структурного анализа - определить неизвестную функцию микрораспределения вещественного объекта (кристалла, аморфного тела, жидкости, газа). Явление рассеяния производит Фурье-анализ функции микрораспределения. При помощи обратной операции - фурье-синтеза можно восстановить искомую функцию микрораспределенияПосмотреть предложения по расчету стоимости
Заказчик
заплатил
заплатил
200 ₽
Заказчик не использовал рассрочку
Гарантия сервиса
Автор24
Автор24
20 дней
Заказчик принял работу без использования гарантии
11 сентября 2016
Заказ завершен, заказчик получил финальный файл с работой
5
Рентгеновская дифракция.docx
2016-09-14 23:56
Последний отзыв студента о бирже Автор24
Общая оценка
4.2
Положительно
Заказала еще одну работу! Очень понятный и красиво оформленный синтез, быстрое исполнение
Хочешь такую же работу?
300 ₽
