Этот заказ уже выполнен на сервисе Автор24
На нашем сайте вы можете заказать учебную работу напрямую у любого из 72000 авторов, не переплачивая агентствам и другим посредникам. Ниже приведен пример уже выполненной работы нашими авторами!
Узнать цену на свою работу

Квантово- размерный эффекты , их применение в радиоэлектронных приборах.

Номер заказа
67486
Создан
20 июня 2013
Выполнен
21 июня 2013
Стоимость работы
280
Помоги! Срочно выполнить реферат по электронике, электротехнике, радиотехнике. Есть буквально 1 день. Тема работы «Квантово- размерный эффекты , их применение в радиоэлектронных приборах.».
Всего было
18 предложений
Заказчик выбрал автора
Этот заказ уже выполнен на сервисе Автор24
На нашем сайте вы можете заказать учебную работу напрямую у любого из 72000 авторов, не переплачивая агентствам и другим посредникам. Ниже приведен пример уже выполненной работы нашими авторами!
Узнать цену на свой Реферат
Или вы можете купить эту работу...
Страниц: 22
Оригинальность: Неизвестно
280
Не подошла
данная работа?
Вы можете заказать учебную работу
на любую интересующую вас тему
Заказать новую работу

Квантово- размерный эффекты , их применение в радиоэлектронных приборах.
ВВЕДЕНИЕ
1. ПРИНЦИП РАЗМЕРНОГО КВАНТОВАНИЯ
2. МДП-СТРУКТУРЫ. ТРАНЗИСТОРЫ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ
3. ТРАНЗИСТОРЫ НА ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНАХ
4. РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР НА КВАНТОВОЙ ТОЧКЕ
5.КВАНТОВО-ТОЧЕЧНЫЕ КЛЕТОЧНЫЕ АВТОМАТЫ И БЕСПРОВОДНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ЛОГИКА
ЛИТЕРАТУРА

1. Сугано Т., Икома Т., Такэиси Е. Введение в микроэлектронику, М., 1988.
2. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. М.: Энергоатомиздат, 1990.
3. Парфенов В.В., Закиров Р.Х. Физика полупроводников: Методич. пособие к практикуму по физике твердого тела. Казань: Изд-во КГУ, 2001.
4. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С.А. Физика низкоразмерных систем, СПб, Наука, 2001.
5. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники, СПб, 2003.
Зонная диаграмма МДП-структуры с индуцированным каналом приведена на рис.3.
Рис.3. Зонная диаграмма МДП-структуры.
На металлический затворный электрод, отделенный слоем диэлектрика толщиной d, подается напряжение Vз, создающее в полупроводнике приповерхностный изгиб зон. Для достаточно больших Vз этот изгиб может стать порядка ширины запрещенной зоны. При этом в полупроводнике вблизи границы с диэлектриком образуется тонкий инверсионный слой, содержащий носители противоположного знака (в данном случае – электроны). Рассматривая металлический затвор и инверсионный слой как две обкладки плоского конденсатора, легко заключить, что двумерная плотность электронов в слое n s (плотность электронов на единицу площади двумерного электронного газа) будет пропорциональна напряжению на затворе:
Показать все
Автор24 - это фриланс-биржа. Все работы, представленные на сайте, загружены нашими пользователями, которые согласились с правилами размещения работ на ресурсе и обладают всеми необходимыми авторскими правами на данные работы. Скачивая работу вы соглашаетесь с тем что она не будет выдана за свою, а будет использована исключительно как пример или первоисточник с обязательной ссылкой на авторство работы. Если вы правообладатель и считаете что данная работа здесь размещена без вашего разрешения - пожалуйста, заполните форму и мы обязательно удалим ее с сайта. Заполнить форму
Оценим бесплатно
за 10 минут
Эта работа вам не подошла?
У наших авторов вы можете заказать любую учебную работу от 200 руб.
Оформите заказ и авторы начнут откликаться уже через 10 минут!
Заказать реферат